介质刻蚀机属于电容耦合等离子体干法刻蚀机（CCP设备），适用于6/8英寸介质层刻蚀工艺。该机台为多腔室集群设备，能够进行全自动并行工艺处理。前后道采用不同频率，实现工艺全覆盖；前道刻蚀速率快，形貌控制优；后道副产物控制优，MTBC长，CoC低。广泛应用于8寸IC、功率器件、化合物半导体等领域。
