NMC612E 是用于12英寸硅片的等离子体干法刻蚀设备，适用于关键技术节点的逻辑芯片硅刻蚀工艺， 关键技术节点的3D-NAND硅刻蚀和台阶刻蚀工艺，以及关键技术节点 DRAM制程中的导体和金属掩膜刻蚀工艺
