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MARS iCE120S

8英寸单片碳化硅外延系统

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MARS iCE120S 8英寸单片碳化硅外延系统
MARS iCE120S 8 Inch Single Wafer SiC Epitaxy System
MARS iCE120S 主要用于6/8英寸SiC外延工艺,具备C2C传片功能。采用水平热壁式技术路线,应用先进的控温、控压算法,独创的进气、混流结构,使得整个外延工艺过程中热场和气流场均匀稳定。工艺指标如厚度均匀性、掺杂浓度均匀性、缺陷密度等均达到了行业先进水平。
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